モハメッド シュルズ ミヤ

反応性高周波マグネトロンスパッタ法を用いて、ガラス基板上へ酸化亜鉛(ZnO)薄膜を堆積した後、二酸化バナジウム(VO2)薄膜の成膜を行った。ZnOは透明性が高く、透明基板上へVO2薄膜を堆積させることにより、光学センサーやスマートウィンドウなどの光学的応用が期待される。本研究では、ZnO薄膜の結晶性及びZnO/glass上へのVO2薄膜の結晶成長について報告する。

反応性スパッタ法による酸化物薄膜堆積において、絶縁性基板へ高周波バイアス電圧を印加して成膜を行った。高周波バイアス印加に伴う-50～-300Vの自己バイアス電圧発生によって、高エネルギーイオンの基板入射を促進できる。本発表では、高エネルギーイオン入射と結晶成長、膜表面モフォロジーとの関連について報告する。金属―絶縁体転移を示す酸化バナジウム薄膜及び酸化亜鉛薄膜への適用結果を示す。