研究者業績
基本情報
- 所属
- 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究所 学際科学研究系 教授 (研究主幹)総合研究大学院大学 物理科学研究科 宇宙科学専攻 教授
- 学位
- 博士（工学）(1992年3月 東京大学)
- 研究者番号
- 50249934
- ORCID ID
https://orcid.org/0000-0002-2845-9636- J-GLOBAL ID
- 200901018824285220
- researchmap会員ID
- 1000144502
宇宙環境の特性を利用した物質科学研究を通して地球上のみならず宇宙空間における物質の変化を探求しています。具体的には、観測ロケット・国際宇宙ステーションなど宇宙飛翔体による微小重力、遠心機による過重力、強磁場など様々な環境を利用して、凝固・結晶成長の素過程の解明、環境相中の輸送現象の解明と制御、新しい材料プロセスの開発に取り組んでいます。
研究分野
5経歴
14-
2021年6月 - 現在
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2017年4月 - 現在
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2014年4月 - 現在
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2012年5月 - 2019年3月
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2015年4月 - 2017年9月
学歴
3-
1989年4月 - 1992年3月
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1987年4月 - 1989年3月
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1983年4月 - 1987年3月
主要な委員歴
29-
2017年4月 - 現在
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2015年10月 - 現在
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2011年7月 - 現在
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2016年1月 - 2024年3月
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2019年10月 - 2023年9月
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2014年12月 - 2015年11月
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2005年4月 - 2007年3月
受賞
7-
2016年9月
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2003年10月
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2000年12月
論文
198-
Defect and Diffusion Forum 439 291-304 2025年2月20日 査読有り
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ACS Applied Materials and Interfaces 16(35) 46433-46441 2024年9月4日 査読有り最終著者
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Journal of Chemical Engineering of Japan 56(1) 2222757 2023年12月31日 査読有り
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Frontiers in Microbiology 14 1253436 2023年12月 査読有り
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Journal of Materials Science: Materials in Electronics 34(19) 1480 2023年7月 査読有り最終著者
MISC
281書籍等出版物
12-
The international academy of astronautics(IAA) 2010年 (ISBN: 9782917761090)
講演・口頭発表等
555-
International Conference on Physics of Emerging Functional Materials 2010年9月24日 招待有り
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Crystal growth of InGaSb alloy semiconductor at International Space Station: preliminary experiments8th Japan-China-Korea Workshop, Microgravity Sciences for Asia Microgravity Pre-Symposium 2010年9月22日
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8th Japan-China-Korea Workshop, Microgravity Sciences for Asia Microgravity Pre-Symposium 2010年9月22日
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The Effect of Gravity on the Dissolution Process of GaSb into InSb Melt: Experiments and Simulations第71回応用物理学会学術講演会 2010年9月14日
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Growth of Si1-xGex bulk crystals with highly homogeneous composition for thermoelectric applicationsThe Sixteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Fourteenth International Conference on Vapor Growth and Epitaxy 2010年8月12日
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Twelfth International Space Conference of Pacific-basin Societies (12th ISCOPS) 2010年7月27日
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APAC-SILICIDE 2010 2010年7月26日
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 2010年5月6日InGaSb混晶半導体の溶解と成長に対する重力効果を明らかにするために、GaSb-InSb-GaSbサンドイッチ構造試料を用いて、中国回収衛星による微小重力環境下実験と1G環境下における地上参照実を行った。また、溶液中の濃度分布を重力レベルの関数として数値解析した。1G下では結晶成長界面形状が重力方向に末広りとなり、重力偏析が起こるのに対して、微小重力下では成長界面形状は平行となり、半径方向の濃度分布は均一となった。また、X線透過法による半導体溶液の濃度分布測定により、低温側のGaSbが高温側のGaSbよりもInSb融液に溶解しやすいことが示された。これらの結果は、重力に起因した溶質対流が混晶半導体の溶解過程と成長過程に影響をもたらすことを示している。
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電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 2010年5月6日InGaSb混晶半導体の溶解と成長に対する重力効果を明らかにするために、GaSb-InSb-GaSbサンドイッチ構造試料を用いて、中国回収衛星による微小重力環境下実験と1G環境下における地上参照実を行った。また、溶液中の濃度分布を重力レベルの関数として数値解析した。1G下では結晶成長界面形状が重力方向に末広りとなり、重力偏析が起こるのに対して、微小重力下では成長界面形状は平行となり、半径方向の濃度分布は均一となった。また、X線透過法による半導体溶液の濃度分布測定により、低温側のGaSbが高温側のGaSbよりもInSb融液に溶解しやすいことが示された。これらの結果は、重力に起因した溶質対流が混晶半導体の溶解過程と成長過程に影響をもたらすことを示している。
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電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 2010年5月6日InGaSb混晶半導体の溶解と成長に対する重力効果を明らかにするために、GaSb-InSb-GaSbサンドイッチ構造試料を用いて、中国回収衛星による微小重力環境下実験と1G環境下における地上参照実を行った。また、溶液中の濃度分布を重力レベルの関数として数値解析した。1G下では結晶成長界面形状が重力方向に末広りとなり、重力偏析が起こるのに対して、微小重力下では成長界面形状は平行となり、半径方向の濃度分布は均一となった。また、X線透過法による半導体溶液の濃度分布測定により、低温側のGaSbが高温側のGaSbよりもInSb融液に溶解しやすいことが示された。これらの結果は、重力に起因した溶質対流が混晶半導体の溶解過程と成長過程に影響をもたらすことを示している。
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41st Lunar and Planetary Science Conference 2010年3月1日 Lunar and Planetary Institute
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JASMA : Journal of the Japan Society of Microgravity Application 2009年10月19日
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第70回応用物理学会学術講演会 2009年9月8日
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2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム: 重力場応用研究グループ企画「重力場応用研究」 2009年4月1日 招待有り
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2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム: 重力場応用研究グループ企画「重力場応用研究」 2009年4月1日 招待有り
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The 2nd International Symposium -"Interface Mineralogy in conjunction with The 2nd International workshop "Crystallization in The Early Solar Nebula 4.6 Billion Years Ago" 2009年3月9日
担当経験のある科目(授業)
4-
2020年1月 - 現在有人宇宙学 (京都大学)
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宇宙環境利用工学特論 (総合研究大学院大学)
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航空宇宙材料特論 (芝浦工業大学)
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C言語 (東京農工大学)
Works(作品等)
1共同研究・競争的資金等の研究課題
36-
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(A) 2020年4月 - 2025年3月
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日本学術振興会 科学研究費助成事業 挑戦的研究(萌芽) 2019年6月 - 2022年3月
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日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B) 2019年4月 - 2022年3月
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日本学術振興会 科学研究費助成事業 挑戦的萌芽研究 2016年4月 - 2019年3月
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日本学術振興会 科学研究費補助金 挑戦的萌芽研究 2016年4月 - 2018年3月
産業財産権
3-
製鋼、金属鋳造・精錬、及び半導体作製技術などの分野において好適に用いることのできる、導電性融液中の拡散係数計測方法及び拡散係数計測装置
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Two conductive solid materials with their respective different compositions are joined in parallel with a gravity direction thereof, and then, heated and melted under static magnetic field orthogonal to the gravity direction to form two conductive melts with their respective different compositions. Then, the conductive melts are maintained for a predetermined period of time under the static magnetic field, and cooled and solidified.
学術貢献活動
5-
パネル司会・セッションチェア等JSASS (オンライン) 2022年2月26日 - 2022年3月4日
