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宇宙機応用工学研究系

研究者リスト >> 廣瀬 和之
 

廣瀬 和之

 
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研究者氏名廣瀬 和之
 
ヒロセ カズユキ
URL
所属国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構
部署宇宙科学研究所
職名特任教授
学位工学博士(早稲田大学), 工学修士
J-Global ID200901096979972445

研究キーワード

 
半導体物理 ,耐放射線半導体デバイス ,semiconductor physics ,rad-hard semiconductor devices

研究分野

 
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学 / 
  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 / 

学歴

 
 
 - 
1983年
早稲田大学大学院  理工学研究科
 
 
 - 
1981年
早稲田大学  理工学部
 

委員歴

 
1999年
   
 
日本応用物理学会  シリコンテクノロジー分科会幹事
 
1995年
   
 
日本応用物理学会  薄膜表面分科会幹事
 
 
   
 
USEF/JSS  SERVIS技術委員
 
 
   
 
NEDO  技術委員会委員
 
 
   
 
応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会  論文賞委員
 

受賞

 
2020年9月
応用物理学会, フェロー,薄膜・界面・素子物理の評価に基づく宇宙用集積回路装置の開発
廣瀬和之 
 
2012年4月
文部科学省, 文部科学大臣賞
廣瀬 和之 
 
2010年10月
宇宙航空研究開発機構, 業績表彰(理事長賞)(研究分野),放射線耐性強化半導体集積回路の開発
 
2008年3月
電気化学会, 論文賞,はやぶさ搭載電池の開発
 
2007年
IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference Outstanding Conference Paper Award
 

論文

 
 
K. Sakamoto   M. Kusano   T. Narita   S. Ishii   K. Hirose   S. Baba   D. Kobayashi   S. Okamoto   H. Shindou   O. Kawasaki   T. Makino   Y. Mori   D. Matuura   
IEEE Transactions on Nuclear Science   651   2021年   [査読有り]
 
T. Makino   S. Onoda   T. Ohshima   D. Kobayashi   H. Ikeda   K. Hirose   
Quantum Beam Science,   4 15-1-15-9   2020年3月   [査読有り]
 
C-H. Chung   D. Kobayashi   K. Hirose   
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability   19(4) 751-756   2019年11月   [査読有り]
 
D. Kobayashi   N. Hayashi   K. Hirose   Y. Kakehashi   O. Kawasaki   T. Makino   T. Ohshima   D. Matsuura   Y. Mori   M. Kusano   T. Narita   S. Ishii   K. Masukawa   
IEEE Transactions on Nuclear Science   66(1) 155-162   2019年11月   [査読有り]
 
C-H. Chung   D. Kobayashi   K. Hirose   
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability   18(4) 574-582   2018年12月   [査読有り]

MISC

 
 
Kazuyuki Hirose   Daisuke Kobayashi   Taichi Ito   Tetsuo Endoh   
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56(8)    2017年8月   
The memory reliability of magnetic tunnel junctions has been examined from the aspect of their potential use in disaster-resilient computing. This computing technology requires memories that can keep stored information intact even in power-cut eme...
 
Takanobu Shimada   Hiroyuki Toyota   Kazuyuki Hirose   Yoshitomo Maeda   Kazuhisa Mitsuda   
2014 IEEE 40TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)   2161-2165   2014年   
This paper presents analysis results for the onorbit performance of a solar array paddle of the X-ray astronomy satellite Suzaku. The current generated by the solar array was decreasing significantly for approximate one year after mid-2011. We est...
 
Keisuke Umeda   Yuji Amano   Daisuke Kobayashi   Hiroshi Nohira   Kazuyuki Hirose   
CDROM 41-42   2013年   
 
Polona Skraba   Gvido Bratina   Satoru Igarashi   Hirosi Nohira   Kazuyuki Hirose   
THIN SOLID FILMS   519(13) 4216-4219   2011年4月   
We have investigated the effect of In diffusion on the electronic structure of a polyethylenedioxythiophenepoly (styrenesulfonate) layer deposited on InSn(x)O(1-x) substrate by photoelectron spectroscopy. We observe additional states near the high...
 
Polona Skraba   Gvido Bratina   Satoru Igarashi   Hirosi Nohira   Kazuyuki Hirose   
THIN SOLID FILMS   519(13) 4216-4219   2011年4月   
We have investigated the effect of In diffusion on the electronic structure of a polyethylenedioxythiophenepoly (styrenesulfonate) layer deposited on InSn(x)O(1-x) substrate by photoelectron spectroscopy. We observe additional states near the high...

書籍等出版物

 
 
廣瀬和之, その他(担当:共著, 範囲:人工衛星搭載用の電子部品の信頼性)
技術情報協会   2020年4月30日   
 
廣瀬和之, 小林大輔, その他(担当:共著, 範囲:X線光電子分光による誘電率の推定法)
技術情報協会   2015年   
 
廣瀬和之, 小林大輔, その他(担当:共著, 範囲:X線光電子分光と第一原理軌道計算によるMOS界面局所構造の物性研究ー誘電率と絶縁破壊電界ー)
(株)エヌ・ティー・エス   2012年7月20日   
 
廣瀬和之, その他(担当:共著, 範囲:原子間,分子間の結合)
(社)電気学会   2012年   
 
(株)エヌ・ティー・エス   2004年   (ISBN:4860430514)   

講演・口頭発表等

 
 
Physics and Space Applications of Advanced Silicon Devices
K. Hirose   D. Kobayashi   
BIT’s 5th Annual World Congress of Smart Materials-2019 ( WCSM-2019)   2019年3月8日   
 
X-ray photoelectron spectroscopy study on SiO2/Si interfaces of advanced MOSFETs
K. Hirose   D. Kobayashi   
International Conference on Electronics, Communications and Networks (CECNet 2018)   2018年11月17日   
 
Advantages and disadvantages of SOI in terms of radiation tolerance
K. Hirose   D. Kobayashi   
IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S Conference 2018)   2018年10月16日   
 
X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study on Reliability of Advanced MOSFETs
The 7th International Conference on Electronics, Communications and Networks (CECNET 2017)   2017年11月25日   
 
Photoemission and molecular orbital calculation study on atomic structures and physical properties at (SiO2-Si)-interfaces
K. Hirose   D. Kobayashi   
18th Research Workshop on Nucleation Theory and Applications   2014年4月   

所属学協会

 
 
   
 
日本応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

 
 
X線を用いた分析の帯電補償に関わる厚膜Si酸化膜中の励起電子の輸送機構の研究
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
廣瀬 和之 
研究期間: 2017年4月 - 2020年3月
 
光電子分光法を用いた極薄SiO2/Si界面の欠陥とアモルファス構造の研究
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
廣瀬 和之 野平 博司 小林 大輔 
研究期間: 2014年4月 - 2017年3月
 
耐災害性に優れた安心・安全社会のためのスピントロニクス材料・デ バイス基盤技術の研究開発
文部科学省: 「未来社会実現のための ICT 基盤技術の研究開発」 「イノベーション 創出を支える情報基盤強化のための新技術開発」委託研究
大野英男 池田正二 羽生貴弘 遠藤哲郎 松倉文礼 安藤 康夫 小野輝男 林将光 小林大輔 杉林直彦 崎村昇 佐藤茂行 廣瀬和之 
研究期間: 2012年 - 2016年
 
硬X線光電子分光法と第一原理計算を用いた極薄酸化膜の光学的誘電率の研究
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
廣瀬 和之 野平 博司 小林 大輔 
研究期間: 2009年 - 2011年
 
積層ゲート絶縁膜の局所的誘電率の研究
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
廣瀬 和之 野平 博司 服部 健雄 小林 大輔 
研究期間: 2006年 - 2008年

● 指導学生等の数

 
 

● 指導学生の表彰・受賞

 
 

● 指導学生の顕著な論文

 
 
 
 
 
 

● 専任大学名

 
 
 

● 所属する所内委員会