2.1GHzにおいて200W級出力可能なGaN・HPA(High Power Amplifier)ユニットを試作した.4つのSSPA(Solid State Power Amplifier)ユニットの出力を円筒形導波管コンバイナーで合成し、540W出力を達成した.1ユニット内の合成では、2個のGaN HEMTアンプを並列接続し、ペルチェ冷却装置と組み合わせて、冷却器付単体ユニットとして最大200W出力を実現することができた.動作点をAB級とし、小型ペルチェ冷却器を用いることで周辺回路温度を...
2.1GHzにおいて200W級出力可能なGaN・HPA(High Power Amplifier)ユニットを試作した.4つのSSPA(Solid State Power Amplifier)ユニットの出力を円筒形導波管コンバイナーで合成し、540W出力を達成した.1ユニット内の合成では、2個のGaN HEMTアンプを並列接続し、ペルチェ冷却装置と組み合わせて、冷却器付単体ユニットとして最大200W出力を実現することができた.動作点をAB級とし、小型ペルチェ冷却器を用いることで周辺回路温度を...