富田基裕

研究者氏名	富田基裕
	トミタモトヒロ
所属	成蹊大学
部署	理工学部理工学科
職名	助教
学位	博士（工学）(明治大学)
科研費研究者番号	90770248
ORCID ID	0000-0001-6524-8152
J-Global ID	201801003637058123

研究キーワード

電力潮流解析 ,個人間電力取引 ,プラズマ ,分子動力学法 ,熱伝導

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研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電力工学 / 個人間電力取引
エネルギー / プラズマ応用科学 / 大気圧低温プラズマ
ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 / 半導体材料

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経歴

12 >

2022年9月

現在

成蹊大学理工学部理工学科助教

2021年9月

2022年8月

早稲田大学理工学術院講師（任期付）

2021年4月

2021年8月

早稲田大学総合研究機構次席研究員

2019年4月

2021年3月

早稲田大学重点領域研究機構次席研究員

2018年4月

2019年3月

早稲田大学ナノ・ライフ創新研究機構次席研究員

学歴

2012年4月

2015年3月

明治大学理工学研究科電気工学専攻博士後期課程

2010年4月

2012年3月

明治大学理工学研究科電気工学専攻博士前期課程

2006年4月

2010年3月

明治大学理工学部電気電子工学科

2003年4月

2006年3月

東京都立武蔵野北高校

受賞

2021年7月

フォノンエンジニアリング研究会, 優秀ポスター賞,分子動力学法を用いたSiGe中の低エネルギーフォノンモードの変位解析
富田基裕

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論文

Modeling, Simulation, Fabrication and Characterization of a 10 μW/cm2 Class Si-Nanowire Thermoelectric Generator for IoT Applications

M. Tomita S. Oba Y. Himeda R. Yamato K. Shima T. Kumada M. Xu H. Takezawa K. Mesaki K. Tsuda S. Hashimoto T. Zhan H. Zhang Y. Kamakura Y. Suzuki H. Inokawa H. Ikeda T. Matsukawa T. Matsuki T. Watanabe

IEEE Transactions on Electron Devices 65(11) 5180-5188 2018年11月 [査読有り]

Evaluating the Relationship between Phonon and Thermal Properties of Group IV Alloys Using Molecular Dynamics Simulation

M. Tomita M. Ogasawara T. Terada T. Watanabe

ECS Transactions 86(7) 337-345 2018年9月 [査読有り]

Development of interatomic potential of Ge(1-x-y)SixSny ternary alloy semiconductors for classical lattice dynamics simulation

Motohiro Tomita Masataka Ogasawara Takuya Terada Takanobu Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 57(4) 04FB04-1-04FB04-7 2018年4月 [査読有り]

We provide the parameters of Stillinger-Weber potentials for GeSiSn ternary mixed systems. These parameters can be used in molecular dynamics (MD) simulations to reproduce phonon properties and thermal conductivities. The phonon dispersion relatio...

10μW/cm2-Class High Power Density Silicon Thermoelectric Energy Harvester Compatible with CMOS-VLSI Technology

Motohiro Tomita Shunsuke Ohba Yuya Himeda Ryo Yamato Keisuke Shima Takehiro Kumada Mao Xu Hiroki Takezawa Kohei Mesaki Kazuaki Tsuda Shuichiro Hashimoto Tianzhuo Zhan Hui Zhang Yoshinari Kamakura Yuhei Suzuki Hiroshi Inokawa Hiroya Ikeda Takashi Matsukawa Takeo Matsuki Takanobu Watanabe

2018 Symposium on VLSI Technology 2018-June 93-94 2018年 [査読有り]

Development of interatomic potential of group IV alloy semiconductors for lattice dynamics simulation

M. Tomita A. Ogura T. Watanabe

ECS Transactions 75(8) 785-794 2016年 [査読有り]

We have newly developed the interatomic potential of Si, Ge or Ge, Sn mixed systems to reproduce the lattice constant, phonon frequency, and phonon dispersion relations in the bulk pure group IV crystal and group IV alloys by molecular dynamics (M...

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MISC

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先端LSIにおけるチャネル歪評価

小椋厚志小瀬村大亮武井宗久富田基裕

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(241) 1-6 2010年10月

歪Si技術はポストスケーリング時代のブースターテクノロジーとしてすでに実用化されているが、その詳細なメカニズムは必ずしも明らかにされていない。我々は、圧縮SiN膜および埋め込みSiGeによりpMOSFETのチャネル領域に印加された歪を評価した。ゲートラストプロセスで、ダミーゲート除去後のチャネルが露出した試料に対してラマン分光測定を行った。装置空間分解能(<200nm)を下回る微細なゲート長では、長時間測定とそしてピーク分離を用いた解析を行い、ナノ領域のチャネルに印加された歪測定に成功した...

原子スケールで平坦なSiO₂/Si酸化膜界面歪の評価

服部真季小瀬村大亮小瀬村大亮武井宗久永田晃基赤松弘彬富田基裕水上雄輝橋口裕樹山口拓也小椋厚志諏訪智之寺本章伸服部健雄大見忠弘大見忠弘小金澤智之廣沢一郎

電子情報通信学会技術研究報告 110(241(SDM2010 152-170)) 2010年