藤沢 浩訓, 中嶋 誠二, 清水 勝, 丹生 博彦
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 98(591) 13-20 2009年2月16日
MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3(PZT)薄膜のグレインサイズを, Ir下部電極のグレインサイズおよびPZT薄膜の成長速度を変化させることで制御することができた。Ir/PZT/Irキャパシタにおいては, Ir下部電極のグレインサイズが50nmから200nmまで増加するのに伴い, PZT薄膜のグレインサイズも120nmから240nmまで増加した。グレインサイズの増加とともに比誘電率, 残留分極は増加し, 抗電界は減少した。このような電気的特性のグレインサイズ依存性はバルクセラミックスにおけるサイズ効果と同じであった。