天野壮

研究者氏名	天野壮
	アマノショウ
URL	http://www.lasti.u-hyogo.ac.jp
所属	兵庫県立大学
部署	高度産業科学技術研究所光量子システム
職名	助教
学位	修士（工学）(電気通信大学), 博士（工学）(電気通信大学)
J-Global ID	200901049519575105

研究キーワード

レーザー ,Laser

研究分野

ナノテク・材料 / 光工学、光量子科学 /

論文

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表面弾性波を駆動源としたマイクロホットスターラーによる高粘性液体の攪拌

Masatoshi Takahashi Tsunemasa Saiki Shunya Saegusa Yuichi Utsumi Sho Amano Akinobu Yamaguchi

IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines 144(5) 106-110 2024年5月 [査読有り]

X-ray multi-scale microfabrication system and x-ray imaging evaluation system all in one beamline

Kanta Yamamoto Yuichi Utsumi Ikuya Sakurai Ikuo Okada Kenji Hanada Hidehiro Ishizawa Masahiro Takeo Taki Watanabe Sho Amano Satoru Suzuki Koji Sumitomo Akinobu Yamaguchi

Journal of Vacuum Science & Technology B 41(6) 2023年10月 [査読有り]

We have completed a system that can achieve both deep x-ray lithography and submicron x-ray lithography with a single beamline by introducing the combination of x-ray plane and cylindrical mirrors. This x-ray lithography system can provide a large...

Microprocessing Using X-Ray Lithography in NewSUBARU

Sho Amano

Journal of Japan Institute of Electronics Packaging 26(5) 483-487 2023年8月

Photodisintegration cross section of <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"><mml:mmultiscripts><mml:mi>He</mml:mi><mml:mprescripts /><mml:none /><mml:mn>4</mml:mn></mml:mmultiscripts></mml:math> in the giant dipole resonance energy region

M. Murata T. Kawabata S. Adachi H. Akimune S. Amano Y. Fujikawa T. Furuno K. Inaba Y. Ishii S. Miyamoto M. Tsumura H. Utsunomiya

Physical Review C 107(6) 2023年6月 [査読有り]

Aggregation of Au colloids using surface acoustic waves

S. Saegusa T. Saiki S. Amano T. Fukuoka Y. Takizawa M. Takahashi K. Yoshiki K. Fujimoto K. Sumitomo Y. Utsmi A. Yamaguchi

J. Photopolym. Sci. Technol. 36 127-132 2023年6月 [査読有り]

MISC

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6.7nm,100mWレーザープラズマEUV光源

天野壮井上智章

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2012.1 1609-1609 2012年2月

極低温冷凍機による連続供給レーザープラズマターゲット

天野壮

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2012.1 1608-1608 2012年2月

軟X線源を用いた半導体薄膜の低温結晶化技術の開発 (シリコン材料・デバイス)

部家彰野々村勇希木野翔太松尾直人天野壮宮本修治神田一浩望月孝晏都甲薫佐道泰造宮尾正信

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 111(357) 71-76 2011年12月

結晶化が起こるには、結晶核形成と結晶粒成長の2つのプロセスを経る必要があるが、一般に結晶核形成には多くのエネルギーを必要とする。我々は軟X線照射により擬似的な結晶核を形成することで、半導体薄膜の低温結晶化を試みている。今回はa-Si膜とa-Ge膜の結晶化における軟X線照射の効果について検討した。Si膜とGe膜の結晶化温度は軟X線照射により680℃から580℃、500℃から420℃と低減した。この結晶化温度の低減は原子移動促進による擬似結晶核の形成によると考えられる。

軟X線フォトン密度がa-Si, a-Ge, a-SiGe膜の低温結晶化に及ぼす効果

野々村勇希木野翔太部家彰松尾直人天野壮宮本修治神田一浩望月孝晏佐道泰造宮尾正信都甲薫

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2011.2 2379-2379 2011年8月

軟X線照射によるa-Si, a-Ge, a-SiGe膜の結晶化

野々村勇希部家彰天野壮礒田伸哉宮本修治神田一浩松尾直人望月孝晏佐道泰造宮尾正信

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2011.1 3022-3022 2011年3月