松尾直人

研究者氏名	松尾直人
	マツオナオト
URL
所属	兵庫県立大学
部署	大学院工学研究科
職名	特任教授
学位	博士（工学）(京都大学)
J-Global ID	201801003399053797

プロフィール

1977-1979 京都大学４回生・修士課程
指導教官：高村仁一教授（金属物理，特に，格子欠陥）
1980-1992 松下電器産業（株）入社
松下電子工業（株）半導体事業本部超LSI開発センター
本社中央研究所→本社半導体研究センター
1992-1994 京都大学研究員（電子物性部門：佐々木昭夫教授）
博士号取得「動的任意番地書込み読出しメモリの超高集積化に伴う
キャパシタに関する研究」
1994-2003 山口大学助教授工学部電気電子工学科
2003-2019 姫路工業大学教授→兵庫県立大学教授材料部門

研究キーワード

半導体デバイス ,半導体物性 ,DNAトランジスタ ,薄膜トランジスタ ,Ⅳ族半導体

研究分野

ナノテク・材料 / ナノバイオサイエンス /
ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /
ナノテク・材料 / 結晶工学 / 低温Poly-Si
ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 / 半導体工学

経歴

2003年10月

現在

姫路工業大学教授，兵庫県立大学教授

1994年2月

2003年9月

山口大学工学部電気電子工学科助教授

1992年10月

1994年1月

京都大学研究員電子物性部門

1980年4月

1992年9月

松下電器産業（株）中央研究所，半導体研究センター

学歴

1978年4月

1980年3月

京都大学大学院工学研究科修士課程金属加工学専攻

1974年4月

1978年3月

京都大学工学部金属系

委員歴

2014年4月

2016年3月

公社日本金属学会第3分科(情報電子材料)委員長

受賞

2014年9月

公益社団法人日本金属学会, 学術貢献賞
松尾直人

2013年5月

大阪大学, 接合科学共同利用・共同研究賞
松尾直人

2011年1月

IEEE関西支部, IEEE関西支部メダル
松尾直人

2010年5月

IEEE, Senior Member
松尾直人

論文

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Technology Trend of Poly-Si TFT from Viewpoints of Crystallization and Device Performance (Invited)

松尾直人部家彰浜田弘喜

ECS Transactions 86(11) 29-39 2018年9月 [査読有り][招待有り]

グラフェンの電気抵抗に関する解析的検討

松尾直人部家彰

電子情報通信学会論文誌 101(7) 287-289 2018年7月 [査読有り]

Guidelines for bottom-up approach of nanocarbon film formation from pentacene using heated tungsten on quartz substrate without metal catalyst

部家彰松尾直人

Jpn. J. Appl. Phys. 57 04FL03-1-04FL03-5 2018年 [査読有り]

Low temperature activation of boron ion in silicon substrate using B10H14+ cluster and soft x-ray irradiation

部家彰松尾直人神田一浩

Jpn. J. Appl. Phys. 57 116502-1-116502-6 2018年 [査読有り]

Large single-crystal Ge-on-insulator by thermally-assisted(similar to 400 degrees C) Si seeded-pulse-laser annealing

T. Sadoh M. Kurosawa A. Heya N. Matsuo M. Miyao

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 70 8-11 2017年11月 [査読有り]

Low temperature (<= 400 degrees C) formation of orientation-controlled large (>= 10 gm) Ge-on-insulator (GOI) structures is desired to fabricate 3-dimensional large-scale integrated circuits (LSIs), where Ge-based functional devices are stac...