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研究者業績

研究者リスト >> 松尾 直人
 

松尾 直人

 
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研究者氏名松尾 直人
 
マツオ ナオト
URL
所属兵庫県立大学
部署大学院工学研究科
職名特任教授
学位博士(工学)(京都大学)
J-Global ID201801003399053797

プロフィール

1977-1979 京都大学 4回生・修士課程
指導教官: 高村仁一教授(金属物理,特に,格子欠陥)
1980-1992 松下電器産業(株)入社
松下電子工業(株)半導体事業本部 超LSI開発センター
本社中央研究所→本社半導体研究センター
1992-1994 京都大学研究員(電子物性部門:佐々木昭夫教授)
博士号取得「動的任意番地書込み読出しメモリの超高集積化に伴う
キャパシタに関する研究」
1994-2003 山口大学助教授 工学部電気電子工学科
2003-2019 姫路工業大学教授→兵庫県立大学教授 材料部門

研究キーワード

 
半導体デバイス ,半導体物性 ,DNAトランジスタ ,薄膜トランジスタ ,Ⅳ族半導体

研究分野

 
  • ナノテク・材料 / ナノバイオサイエンス / 
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器 / 
  • ナノテク・材料 / 結晶工学 / 低温Poly-Si
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学 / 半導体工学

経歴

 
2003年10月
 - 
現在
姫路工業大学教授,兵庫県立大学教授   
 
1994年2月
 - 
2003年9月
山口大学工学部電気電子工学科  助教授 
 
1992年10月
 - 
1994年1月
京都大学研究員 電子物性部門   
 
1980年4月
 - 
1992年9月
松下電器産業(株)中央研究所,半導体研究センター   
 

学歴

 
1978年4月
 - 
1980年3月
京都大学大学院工学研究科修士課程 金属加工学専攻  
 
1974年4月
 - 
1978年3月
京都大学工学部 金属系  
 

委員歴

 
2014年4月
 - 
2016年3月
公社 日本金属学会  第3分科(情報電子材料)委員長
 

受賞

 
2014年9月
公益社団法人日本金属学会, 学術貢献賞
松尾直人 
 
2013年5月
大阪大学, 接合科学共同利用・共同研究賞
松尾直人 
 
2011年1月
IEEE関西支部, IEEE関西支部メダル
松尾直人 
 
2010年5月
IEEE, Senior Member
松尾直人 
 

論文

 
 
松尾直人   部家 彰   浜田弘喜   
ECS Transactions   86(11) 29-392018年9月   [査読有り][招待有り]
 
松尾直人   部家 彰   
電子情報通信学会論文誌   101(7) 287-2892018年7月   [査読有り]
 
部家 彰   松尾直人   
Jpn. J. Appl. Phys.   57 04FL03-1-04FL03-52018年   [査読有り]
 
部家 彰   松尾直人   神田一浩   
Jpn. J. Appl. Phys.   57 116502-1-116502-62018年   [査読有り]
 
T. Sadoh   M. Kurosawa   A. Heya   N. Matsuo   M. Miyao   
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   70 8-112017年11月   [査読有り]
Low temperature (<= 400 degrees C) formation of orientation-controlled large (>= 10 gm) Ge-on-insulator (GOI) structures is desired to fabricate 3-dimensional large-scale integrated circuits (LSIs), where Ge-based functional devices are stac...

書籍等出版物

 
 
大村泰久, Abhijit Mallik, 松尾直人(担当:分担執筆, 範囲:26,27章)
Wiley-IEEE      2016年8月      
 
松尾直人, 岡行治(担当:分担執筆, 範囲:第2章 エキシマレーザー結晶化ー水素が核形成・結晶化に与える効果ー)
シーエムシー出版      2007年2月      
 
松尾 直人(担当:単著)
コロナ社      2000年10月   (ISBN:4339007269)   

講演・口頭発表等

 
 
Technology Trend of Poly-Si TFT from Viewpoints of Crystallization and Device Performance (Invited)
松尾 部家   
ECS American Intern. Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMES),Thin Film Transistor Technologies 14   2018年9月30日   
 
Poly-Si TFT Technology from Viewpoints of Low-Temperature Crystallization and High-Performance Device (Invited)
松尾直人   
SID The 18th International Meeting on Information Display   2018年8月30日   
 
Low Temperature Crystal Growth of Group Ⅳ Thin Film on Insulator and High-Performance TFT (Invited)
松尾直人   部家 彰   
IEICE Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices   2018年7月   
 
Novel DNA/Si-MOSFET and Its Application (Invited)
松尾 高田   部家   山名   大村 横山   
JSAP Intern. Conf. Simulation of Semiconductor Processes and Devices(SISPAD), Workshop of Technologies for Sensor Devices   2017年9月6日   

担当経験のある科目(授業)

 
 
   
 
集積回路工学特論 (山口大学)
 
   
 
固体素子工学特論 (山口大学)
 
   
 
材料物理(応用物性論) (兵庫県立大学)
 
   
 
電磁気学 (山口大学)
 
   
 
力学 (兵庫県立大学)

所属学協会

 
 
   
 
米国電気電子学会
 
   
 
電子情報通信学会
 
   
 
日本金属学会
 
   
 
応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

 
 
DNAを活性層とする電荷保持素子の研究
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 挑戦的萌芽研究
松尾直人 
研究期間: 2012年4月 - 2015年3月
 
研究期間: 2008年4月 - 2009年3月
 
軟X線によるナノSi核形成と連続したレーザ照射による低温結晶化のダイナミクス
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
松尾直人 
研究期間: 2007年4月 - 2009年3月