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研究者業績

研究者リスト >> 福室 直樹
 

福室 直樹

 
アバター
研究者氏名福室 直樹
 
フクムロ ナオキ
URLhttp://www.eng.u-hyogo.ac.jp/group/group39/
所属兵庫県立大学
部署大学院工学研究科 化学工学専攻 表面エネルギー化学研究グループ
職名准教授
学位博士(工学)(東京都立大学)
J-Global ID200901087780558276

研究キーワード

 
透過電子顕微鏡 ,水素誘起超多量空孔 ,薄膜 ,表面処理 ,めっきプロセス ,ナノ構造 ,Electroless plating and Electroplating

研究分野

 
  • ナノテク・材料 / 金属材料物性 / 
  • ナノテク・材料 / 材料加工、組織制御 / 

経歴

 
2016年4月
 - 
現在
兵庫県立大学 工学(系)研究科(研究院) 准教授 
 

学歴

 
 
 - 
1999年
東京都立大学 工学研究科 応用化学専攻
 
 
 - 
1994年
東京都立大学 工学部 工業化学化
 

受賞

 
1996年
社団法人 表面技術協会 第2回学術奨励講演賞
 

論文

 
 
K. Fukuda   N. Yamada   D. Sadakane   S. Sakamoto   N. Fukumuro   S. Yae   
Transactions of the Institute of Metal Finishing   95(4) 203-206   2017年7月   [査読有り]
© 2017 Institute of Materials Finishing. Metallisation of silicon carbide (SiC) wafers is a key technology for producing efficient power devices. Conventional autocatalytic electroless deposition cannot produce adherent metal films directly on SiC...
 
Masafumi Kobune   Ryosuke Furotani   Satoshi Fujit   Kazuki Kikuchi   Takeyuki Kikuchi   Hironori Fujisawa   Masaru Shimizu   Naoki Fukumuro   
Japanese Journal of Applied Physics   55(10)    2016年10月   [査読有り]
© 2016 The Japan Society of Applied Physics,. Ferromagnetic magnetite (Fe3O4) thin films for magnetoelectric multiferroic applications were deposited on (200) (Bi3.25Nd0.64Eu0.10)Ti3O12 (BNEuT)/(101) Nb:TiO2 substrates by metalorganic chemical vap...
 
Kobune Masafumi   Furotani Ryosuke   Fujita Satoshi   Kikuchi Kazuki   Kikuchi Takeyuki   Fujisawa Hironori   Shimizu Masaru   Fukumuro Naoki   
Jpn. J. Appl. Phys.   55(10) 10TA01   2016年8月
Ferromagnetic magnetite (Fe<inf>3</inf>O<inf>4</inf>) thin films for magnetoelectric multiferroic applications were deposited on (200) (Bi<inf>3.25</inf>Nd<inf>0.65</inf>Eu<inf>0.10</inf>)Ti<inf>3</inf>O<inf>12</inf>(BNEuT)/(101) Nb:TiO<inf>2</inf...
 
吉田 裕輝   山崎 貴昭   安達 貴良   福室 直樹   八重 真治   深井 有   
日本金屬學會誌   80(10) 667-667   2016年
&emsp;日本金属学会誌 第79巻 第 3 号(2015)78&ndash;81<br> <br> &emsp;80頁Fig. 2(f)のプロットが誤っておりましたので,訂正いたします. <br>
 
萩原泰三   萩原泰三   藤原良太   松田貴士   山川加能   福室直樹   八重真治   
表面技術   67(1) 34-39   2016年1月   
By immersion of silicon into a solution containing metal-salt and hydrofluoric acid, fine metal particles are deposited onto the silicon surface by electroless displacement reaction. The particle density of deposited metal varies widely depending ...

MISC

 
 
澤田康平   福室直樹   八重真治   
軽金属学会大会講演概要   140th    2021年
 
平川希実   小林大喜   前田光治   飯村健次   福室直樹   松本歩   八重真治   倉持秀敏   
化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)   86th    2021年
 
吉田悠一郎   田口翔悟   福室直樹   八重真治   前田光治   山本拓司   
化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)   86th    2021年
 
相良優作   小田幸典   小田幸典   福室直樹   八重真治   
表面技術協会講演大会講演要旨集   141st    2020年
 
進野諒平   日野実   桑野亮一   永田教人   山下満   福室直樹   松本歩   八重真治   永田員也   園田司   金谷輝人   
表面技術協会講演大会講演要旨集   141st    2020年

担当経験のある科目(授業)

 
 
   
 
固体表面工学Ⅱ (兵庫県立大学 大学院工学研究科)
 
   
 
物質創成工学Ⅲ(薄膜工学) (兵庫県立大学 工学部)
 
   
 
構造解析学 (兵庫県立大学 工学部)

所属学協会

 
2019年5月
 - 
現在
軽金属学会
 
   
 
表面技術協会
 
   
 
日本金属学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

 
 
電気化学反応による金属中への水素侵入の制御と超化学量論的水素化物の創製
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
福室 直樹 
研究期間: 2022年4月 - 2025年3月
 
めっきにおける水素共析と水素誘起現象の機構解明
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
福室 直樹 八重 真治 
研究期間: 2017年4月 - 2020年3月
 
めっきにおける水素共析と水素誘起現象の機構解明
文部科学省: 科学研究費補助金(基盤研究(C))
福室 直樹 
研究期間: 2017年 - 2019年
 
貴金属ナノ粒子のシリコンへの無電解析出のグリーンサステイナブル展開
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
八重 真治 福室 直樹 平田 正治 木村 利彦 萩原 泰三 福田 健二 山田 直樹 松本 歩 河野 広明 
研究期間: 2014年4月 - 2018年3月
 
金属電析における水素誘起超多量空孔の挙動解明と組織制御への応用
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
福室 直樹 深井 有 八重 真治 
研究期間: 2014年4月 - 2017年3月