豊田紀章

研究者氏名	豊田紀章
	トヨダノリアキ
URL
所属	兵庫県立大学
部署	大学院工学研究科電子情報工学専攻
職名	教授
学位	博士（工学）(京都大学)
J-Global ID	201801017197581245

研究キーワード

微細加工 ,クラスター ,表面改質 ,イオンビーム

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 加工学、生産工学 /
エネルギー / 量子ビーム科学 /
ナノテク・材料 / ナノ材料科学 /
ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /

経歴

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2007年4月

2007年6月

兵庫県立大学大学院工学研究科客員准教授

2001年4月

2007年3月

姫路工業大学高度産業科学技術研究所客員助教授

1999年4月

2001年3月

マサチューセッツ工科大学マテリアルプロセシングセンター博士研究員

学歴

1999年3月

京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

1996年3月

京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

1994年3月

京都大学工学部電子工学科

委員歴

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2022年12月

現在

姫路市産業振興推進会議委員

2022年4月

現在

応用物理学会ナノ荷電粒子ビーム産学連携委員会

2021年4月

現在

一般社団法人電子実装工学研究所接合界面創成技術委員会

2008年

現在

日本学術振興会第145委員会委員

2021年5月

2023年4月

電気学会光・量子デバイス技術委員会量子ビームによるナノ構造・界面形成とバイオメディカル応用技術調査専門委員会委員長

受賞

2023年6月

キオクシア株式会社, キオクシア奨励研究2022年度プロセス部門,サーマルプロセスとガスクラスター励起表面反応を用いた原子層加工技術の開発
豊田紀章

論文

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Pressure resistance evaluation of an ultrathin SiNx membrane etched by a gas cluster ion beam

Masaya Takeuchi Noriaki Toyoda

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 550 165317-165317 2024年5月

Atomic layer etching of silicon nitride film by oxygen gas cluster ion beam with acetylacetone

Masaya Takeuchi Reki Fujiwara Noriaki Toyoda

Japanese Journal of Applied Physics 2023年4月 [査読有り]

Abstract

Atomic layer etching (ALE) of silicon nitride film (SiNx) was demonstrated using oxygen gas cluster ion beam (O2-GCIB) with acetylacetone (Hacac) as adsorption gas. GCIB is a beam of aggregates of several thousand atoms, enabling low da...

Surface preparation of metal films by gas cluster ion beams using organic acid vapor for Cu–Cu bonding

S. Hanahara M. Takeuchi N. Toyoda

Japanese Journal of Applied Physics 61(SF) SF1004-SF1004 2022年3月 [査読有り]

Abstract

Surface-activated bonding (SAB) of Cu by gas cluster ion beam (GCIB) irradiation with acetic acid vapor was studied. GCIB irradiation realizes surface smoothing and surface reaction enhancement without severe damage. Therefore, it is pr...

ガスクラスタイオン照射を用いた原子層エッチング

豊田紀章

応用物理 90(4) 239-243 2021年4月 [査読有り][招待有り]

Ferrocene on Insulator: Silane Coupling to a SiO2 Surface and Influence on Electrical Transport at a Buried Interface with an Organic Semiconductor Layer

Takashi Ikeda Keishiro Tahara Tomofumi Kadoya Hiroyuki Tajima Noriaki Toyoda Satoshi Yasuno Yoshiki Ozawa Masaaki Abe

Langmuir 36(21) 5809-5819 2020年6月

A silane coupling-based procedure for decoration of an insulator surface containing abundant hydroxy groups by constructing redox-active self-assembled monolayers (SAMs) is described. A newly synthesized ferrocene (Fc) derivative containing a trie...