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研究者業績

研究者リスト >> 藤沢 浩訓
 

藤沢 浩訓

 
アバター
研究者氏名藤沢 浩訓
 
フジサワ ヒロノリ
URLhttps://www.eng.u-hyogo.ac.jp/eecs/eecs7/index.html
所属兵庫県立大学
部署大学院 工学研究科 電子情報工学専攻
職名教授
学位博士(工学)(京都大学)
J-Global ID200901024163919928

研究キーワード

 
強誘電体メモリ ,走査型プローブ顕微鏡 ,MOCVD法 ,強誘電体薄膜 ,ferroelectric random access memories ,scanning probe microscopy ,metalorganic chemical vapor deposition ,ferroelectric thin films

研究分野

 
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器 / 
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学 / 

経歴

 
2004年
 - 
2006年
兵庫県立大学大学院工学研究科助手   
 
2004年
 - 
2006年
Research Associate, Graduate School of Engineering, University of Hyogo   
 
2002年
 - 
2004年
姫路工業大学 大学院工学研究科 助手   
 
2002年
 - 
2004年
Research Associate, Graduate School of Engineering, Himeji Institute of Technology   
 
1996年
 - 
2002年
姫路工業大学工学部 助手   
 

学歴

 
 
 - 
1996年
京都大学 工学研究科 電子工学
 
 
 - 
1994年
京都大学 工学部 電子工学科
 

論文

 
 
Takeshi Asuka   Junpei Ouchi   Hironori Fujisawa   Seiji Nakashima   
Japanese Journal of Applied Physics   62(SM)    2023年11月
HfO2-based ferroelectric materials do not necessarily require high-temperature annealing for crystallization, making them attractive for applications in transparent electronic devices on plastic or glass substrate. In this study, (Hf, Zr)O2 (HZO) ...
 
Kazuki Arima   Seiji Nakashima   Koji Kimura   Koichi Hayashi   Naohisa Happo   Hironori Fujisawa   
Japanese Journal of Applied Physics   62(SM)    2023年11月
Bismuth ferrite (BiFeO3: BFO) is a multiferroic material that exhibits ferroelectricity, antiferromagnetism, and ferroelasticity simultaneously at RT. BFO holds great promise as a ferroelectric semiconductor because of its ability to alter conduct...
 
Seiji Nakashima   Tatsuya Ito   Takuo Ohkochi   Hironori Fujisawa   
Japanese Journal of Applied Physics   61    2022年11月   [査読有り]
Recently, ferroelectric semiconductors has become a subject of interest with regard to potential applications in novel electronic and opto-electric devices. One of the most important aspects of employing these materials is band modulation based on...
 
Hironori Fujisawa   Kazuma Ikeda   Seiji Nakashima   
Japanese Journal of Applied Physics   60(SF)    2021年11月   [査読有り]
Ferroelectric gate-all-around (GAA) transistors with a nanowire (NW) channel standing vertically on the substrate would be a potential breakthrough to overcome limitations in the high-integration of ferroelectric memories. In the present study, we...
 
Tsubasa Migita   Masafumi Kobune   Kengo Matsumoto   Yuuri Takeuchi   Hironori Fujisawa   Kensuke Kanda   Kazusuke Maenaka   
Japanese Journal of Applied Physics   60(SF) SFFB06-SFFB06   2021年11月   [査読有り]

MISC

 
 
藤沢 浩訓   中嶋 誠二   清水 勝   
豊田研究報告   63(63) 135-139   2010年   
 
藤沢 浩訓   中嶋 誠二   清水 勝   丹生 博彦   
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   98(591) 13-20   2009年2月
MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3(PZT)薄膜のグレインサイズを, Ir下部電極のグレインサイズおよびPZT薄膜の成長速度を変化させることで制御することができた。Ir/PZT/Irキャパシタにおいては, Ir下部電極のグレインサイズが50nmから200nmまで増加するのに伴い, PZT薄膜のグレインサイズも120nmから240nmまで増加した。グレインサイズの増加とともに比誘電率, 残留分極は増加し, 抗電界は減少した。このような電気的特性のグレインサイズ依存性はバルクセラミックスにお...
 
藤沢 浩訓   清水 勝   
電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会   2007(9) 1-6   2007年7月
 
清水 勝   野々村 哉   藤沢 浩訓   丹生 博彦   本田 耕一郎   
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   104(713) 23-27   2005年3月
MOCVD法によりPbTiO_3ナノ構造をPt/SiO_2/Si(100)及びPt/SrTiO_3(111)、(101)、(001)上に作製した。PbTiO_3はこれらの基板上では、Volmer-Weber成長モードにより成長し、成長初期には自己集合的にナノサイズの島構造が形成される。Pt/SiO_2/Si上では面内方向の揃っていないナノ構造が形成された。しかし、Pt/SrTiO_3上では、面内方向の揃ったナノ構造が形成され、基板の面方位により形状の異なったナノ構造が形成された。形成された...
 
野々村 哉   藤沢 浩訓   清水 勝   丹生 博彦   本田 耕一郎   
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   103(729) 31-36   2004年3月
MOCVD法により、Pt/SrTiO_3およびMgO(111),(110),(100)基板上へPbTiO_3自己集合島を形成した。それぞれのPbTiO_3島の形状は、(1ll)基板上で三角錐、(110)基板上で三角柱、(100)基板上で四角い板状であった。また、これらのPbTiO_3島の面内方位が揃っていることがわかった。このことは、エピタキシャル関係を利用することでPbTiO_3自己集合島の形状や面内方位などの構造制御が可能であることを示している。また、圧電応答測定の結果、これらのナノサ...

書籍等出版物

 
 
Springer   2005年   (ISBN:3540241639)   
 
Kluwer Academic Publishers   2003年   (ISBN:1402076304)   

講演・口頭発表等

 
 
尾内惇平   畑駿亮   大島元太   藤沢浩訓   中嶋誠二   
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   2022年   
 
加藤廉   中嶋誠二   藤沢浩訓   木村耕治   八方直久   ANG A. K. R.   加藤達也   山本裕太   林好一   
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   2022年   
 
伊藤達也   中嶋誠二   藤沢浩訓   大河内拓雄   
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   2021年   
 
尾内惇平   藤沢浩訓   中嶋誠二   
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   2021年   
 
加藤廉   中嶋誠二   藤沢浩訓   
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   2021年   

所属学協会

 
 
   
 
日本MRS
 
   
 
米国材料学会
 
   
 
米国物理学会
 
   
 
応用物理学会
 
   
 
Materials Research Society of Japan

共同研究・競争的資金等の研究課題

 
 
pn接合によらない異常光起電力効果に基づく次々世代高効率太陽電池の創製
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 挑戦的研究(萌芽)
藤澤 浩訓 中嶋 誠二 
研究期間: 2021年7月 - 2023年3月
 
「強誘電体分極の巨大近接効果」の現象としての確立
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 挑戦的研究(萌芽)
渡部 行男 藤澤 浩訓 佐藤 琢哉 横田 紘子 
研究期間: 2019年6月 - 2023年3月
 
強誘電体帯電表面・界面における擬似ドーパント効果の検討とその制御
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
中嶋 誠二 藤澤 浩訓 
研究期間: 2019年4月 - 2022年3月
 
超高集積強誘電体メモリ実現へ向けたブレークスルー技術の開発
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
藤澤 浩訓 清水 勝 中嶋 誠二 
研究期間: 2016年4月 - 2019年3月
 
光アクチュエータを指向した強誘電体薄膜における異常光起電力効果の増強
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
中嶋 誠二 藤沢 浩訓 清水 勝 
研究期間: 2016年4月 - 2019年3月