神田一浩

研究者氏名	神田一浩
	カンダカズヒロ
URL
所属	兵庫県立大学
部署	高度産業科学技術研究所
職名	教授
学位	博士(理学)(東京大学)
その他の所属	大学院工学研究科
J-Global ID	200901026854817474

研究キーワード

SRプロセス ,新素材 ,SR Process ,New Material

研究分野

ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /
ナノテク・材料 / 機能物性化学 /

経歴

2004年

2010年

兵庫県立大学高度産業科学技術研究所准教授

1999年

2004年

姫路工業大学高度産業科学技術研究所助教授

1987年

1999年

いわき明星大学理工学部助手

学歴

1987年

東京大学理学系研究科化学

1985年

東京大学理学部化学

論文

12 3 4 5 >

Effects of underlayer on reduction of graphene oxide through atomic hydrogen annealing and soft X-ray irradiation

Akira HEYA Akinori Fujibuchi Masahiro Hirata Kazuhiro KANDA Yoshiaki Matsuo Junichi INAMOTO Koji Sumitomo

Japanese Journal of Applied Physics 62(SC) SC1028-SC1028 2023年1月 [査読有り]

Abstract
The reduction of graphene oxide (GO) through atomic hydrogen annealing (AHA) and soft X-ray irradiation is investigated using microwell substrates with μm-sized holes with and without Ni underlayers. The ...

Oriented sp2 bonded carbon structure of hydrogenated amorphous carbon films

Naoki Umada Kazuhiro Kanda Masato Niibe Yuki Hirata Naoto Ohtake Hiroki Akasaka

Diamond and Related Materials 131 109533-109533 2023年1月 [査読有り]

An experiment demonstrating the capability of a symmetrical layout type double crystal monochromator controlled using electronic cam technology

Masato Okui Atsushi Shimoguchi Naoki Yato Norio Murayama Isao Kikuchi Ichiro Tsuboki Kazuhiro Kanda

Journal of Physics: Conference Series 2380(1) 012054-012054 2022年12月 [査読有り]

Abstract
A demonstration test of a newly developed double crystal monochromator was performed on beamline BL06 in the NewSUBARU synchrotron radiation facility of Hyogo University. Due to the symmetrical layout of ...

Effects of Ge and Ni catalytic underlayers to nanographene synthesis from pentacene-based film via soft X-ray irradiation

Akira Heya Kazuhiro Kanda Ryo Yamasaki Koji Sumitomo

Japanese Journal of Applied Physics 61({SC}) 2022年5月 [査読有り]

Biomimetic Diamond-like Carbon Coating on a Lumen of Small-diameter Long-sized Tube Modified Surface Uniformly with Carboxyl Group using Oxygen Plasma

Yuichi Imai Hiroyuki Fukue Tatsuyuki Nakatani Shinsuke Kunitsugu Kazuhiro Kanda Tsuneo Suzuki Shogo Watari Yasuhiro Fujii Daiki Ousaka Susumu Oozawa Tomio Uchi

Journal of Photopolymer Science and Technology 35(4) 289-297 2022年

Silicone tubing is used in small-diameter long-sized tubes for medical applications, such as urinary catheters. However, bacteria in urine adhere to the catheters, forming colonies and biofilms and resulting in blockages and urinary tract infectio...

MISC

<2 345 6 >

軟X線照射を用いたダイヤモンドライクカーボン膜の表面機能化 (特集セラミックス研究に役立つ放射光技術)

神田一浩

Ceramics Japan = セラミックス : bulletin of the Ceramic Society of Japan 50(1) 46-52 2015年1月

軟X線源を用いたSiOx中nc-Siの形成 (シリコン材料・デバイス)

草壁史平野翔大部家彰松尾直人神田一浩望月孝晏宮本修治小濱和之伊藤和博

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(360) 99-102 2014年12月

SiO_x中に低温でナノ結晶Si(nc-Si)を形成することは、高効率太陽電池実現にとって重要な技術の一つである。我々はシンクロトロン放射光施設NewSUBARUのBL07Aを利用した軟X線照射による低温結晶化を提案しており、非晶質Si(a-Si)膜において結晶化閥値温度を100℃程度低減できることを明らかにしている。Si2p軌道の内殻準位に近い光子エネルギーの軟X線照射による電子励起・原子移動効果により、SiO_x膜中のa-Siは結晶化した。軟X線照射時の基板温度は660℃である。nc-...

B⁺およびB₁₀H₁₄⁺注入Si基板の軟X線照射による活性化 (シリコン材料・デバイス)

部家彰草壁史平野翔大松尾直人神田一浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(360) 13-16 2014年12月

我々は10nm程度の極浅接合形成のため、アンジュレータ光源を用いた軟X線照射によるSi中B不純物の低温活性化について検討している。本研究では、B不純物源として極浅接合形成が期待できるBクラスタイオン(B_<10>H_<14>^+)を用いた。軟X線照射した試料のシート抵抗は、低温(〜500℃)にもかかわらず、熱処理よりもシート抵抗の低減が確認され、軟X線照射の効果が確認された。これは、軟X線照射による電子励起・クーロン斥力発生および局所格子振動の合成による原子移動効果により、B_<10>H_...

日光七本桜テフラ（14000-15000年前）上に発達したmelanic epipedonに存在するエステル硫酸態イオウ

谷川東子吉永秀一郎橋本洋平山口紀子伊藤嘉昭福島整神田一浩上村雅治長谷川孝行高橋正通

日本森林学会大会発表データベース 125(0) 385-385 2014年

発表者らは、日本に分布する MelanudandsやFulvudandsといった火山灰土にはイオウ（S)化合物が多量に蓄積され、その主要な形態はエステル硫酸態S(酸化型の有機S)であることを明らかにしてきた。しかし、火山灰土が火山灰の2次堆積や大陸からの風成塵が継続的に累積したことにより上方に向かって発達する累積性土壌である点については、考慮してこなかった。そこで土の累積性がエステル硫酸態Sの垂直分布に与える影響について検討するため、日光七本桜テフラ（Nt-S, 14,000-15,000...

軟X線源を用いたSi中B原子の低温活性化技術の開発 (シリコン材料・デバイス)

部家彰草壁史丸山裕樹松尾直人神田一浩野口隆

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(351) 67-72 2013年12月

10nm程度の極浅接合形成のため、アンジュレータ光源を用いた軟X線照射によるSi中B不純物の低温活性ィヒについて検討した。軟X線照射によるシート抵抗の低減効果は、熱処理と比べて400℃以下の低温領域で顕著になり、アレニウスプロットから見積もった活性化エネルギーは軟X線照射と熱処理でそれぞれ、0.06eV、0.18eVであった。照射光子エネルギーがSi2pのエネルギー準位に近づくと、活性化が促進された。また、活性化率6.2×10^<-3>と低いが、100℃程度の低温処理でも、軟X線の効果によ...