神田一浩

研究者氏名	神田一浩
	カンダカズヒロ
URL
所属	兵庫県立大学
部署	高度産業科学技術研究所
職名	教授
学位	博士(理学)(東京大学)
その他の所属	大学院工学研究科
J-Global ID	200901026854817474

研究キーワード

SRプロセス ,新素材 ,SR Process ,New Material

研究分野

ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /
ナノテク・材料 / 機能物性化学 /

経歴

2004年

2010年

兵庫県立大学高度産業科学技術研究所准教授

1999年

2004年

姫路工業大学高度産業科学技術研究所助教授

1987年

1999年

いわき明星大学理工学部助手

学歴

1987年

東京大学理学系研究科化学

1985年

東京大学理学部化学

論文

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Investigation of vacancy-type defects in diamond-like carbon films using slow positron beam

Kazuhiro Kanda Tomohiro Mishima Hiroki Akasaka Fuminobu Hori Atsushi Yabuuchi Atsushi Kinomura

Japanese Journal of Applied Physics 63(4) 045503-045503 2024年4月 [査読有り]

Abstract

Positron annihilation spectroscopy was used to investigate vacancy-type defects in diamond-like carbon (DLC) films. From Doppler broadening measurements of the γ-rays produced by annihilation and positron annihilation lifetime (PAL) usi...

Photon energy dependence of graphene oxide reduction by soft X-ray irradiation and atomic hydrogen annealing

Akira Heya Akinori Fujibuchi Masahiro Hirata Yoshiaki Matsuo Junichi Inamoto Kazuhiro KANDA Koji Sumitomo

Japanese Journal of Applied Physics 2023年11月 [査読有り]

Abstract
The effects of soft X-ray irradiation and atomic hydrogen annealing (AHA) on the reduction of graphene oxide (GO) to obtain graphene were investigated. To clarify the interaction between soft X-rays and G...

Deposition of amorphous carbon nitride thin films using pressure-gradient RF magnetron sputtering and their chemical bonding structures

Masami Aono Masami Terauchi Yohei K. Sato Kyoji Morita Tasuku Inoue Kazuhiro Kanda Ken Yonezawa

Applied Surface Science 635 157677-157677 2023年10月 [査読有り]

Soft X-ray microspectroscopic imaging studies of exfoliated surface between fluoropolymer and Cu plate directly bonded by plasma irradiation with ammonia gas

A. Yamaguchi S. Ikeda M. Nakaya Y. Kobayashi Y. Haruyama S. Suzuki K. Kanda Y. Utsumi T. Ohkochi H. Sumida M. Oura

Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 267 147385-147385 2023年8月

Effects of underlayer on reduction of graphene oxide through atomic hydrogen annealing and soft X-ray irradiation

Akira HEYA Akinori Fujibuchi Masahiro Hirata Kazuhiro KANDA Yoshiaki Matsuo Junichi INAMOTO Koji Sumitomo

Japanese Journal of Applied Physics 62(SC) SC1028-SC1028 2023年1月 [査読有り]

Abstract
The reduction of graphene oxide (GO) through atomic hydrogen annealing (AHA) and soft X-ray irradiation is investigated using microwell substrates with μm-sized holes with and without Ni underlayers. The ...

MISC

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軟X線源を用いたSi中B原子の低温活性化技術の開発 (シリコン材料・デバイス)

部家彰草壁史丸山裕樹松尾直人神田一浩野口隆

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(351) 67-72 2013年12月

10nm程度の極浅接合形成のため、アンジュレータ光源を用いた軟X線照射によるSi中B不純物の低温活性ィヒについて検討した。軟X線照射によるシート抵抗の低減効果は、熱処理と比べて400℃以下の低温領域で顕著になり、アレニウスプロットから見積もった活性化エネルギーは軟X線照射と熱処理でそれぞれ、0.06eV、0.18eVであった。照射光子エネルギーがSi2pのエネルギー準位に近づくと、活性化が促進された。また、活性化率6.2×10^<-3>と低いが、100℃程度の低温処理でも、軟X線の効果によ...

軟X線照射による半導体薄膜の低温結晶化 : 光子エネルギー依存性とSiGe多層膜のTEM観察 (シリコン材料・デバイス)

草壁史丸山裕樹部家彰松尾直人神田一浩望月孝晏伊藤和博高橋誠

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(351) 61-66 2013年12月

a-Ge, a-SiGe腹の軟X線照射結晶化における照射光子エネルギー依存性を検討した。Ge腹において蓄積リング電流値75mA、照射光子エネルギー100evにて、試料温度が380℃で結晶化が見られたが、130eVでは100eVの条件より試料温度が高い410℃にもかかわらず結晶化が見られなかった。このことから結晶化は温度効果よりも照射光子エネルギーに依存すると考えられる。また、軟X線照射により結晶化したSiGe濃度傾斜多層膜を透過型電子顕微鏡(TEM)により観察した。層界面では結晶格子が連な...

アモルファス炭素系膜の特性に及ぼす同位体の効果

鈴木裕太郎鈴木常生神田一浩大竹尚登赤坂大樹

日本機械学会機械材料・材料加工技術講演会論文集(CD-ROM) 21st 2013年

Hydrogen removal from hydrogenated diamond-like carbon films by exposure to photon and energetic atomic oxygen beams

Kumiko Yokota Masahito Tagawa Koji Matsumoto Yuichi Furuyama Akira Kitamura Kazuhiro Kanda Mayumi Tode Akitaka Yoshigoe Yuden Teraoka

Astrophysics and Space Science Proceedings 32 531-540 2013年1月

© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2013. Stability of hydrogen in diamond-like carbon (DLC) film under simulated space environment, i.e., hyperthermal atomic oxygen, vacuum ultraviolet (VUV) and soft X-ray exposures has been studied. Hydrogen in ...

軟X線照射のみによる半導体非晶質膜の低温結晶化

松尾直人部家彰望月孝晏宮本修治神田一浩

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112(18) 49-54 2012年4月

ガラス基板上に蒸着した非晶質Si,Ge,Si_xGe_<1-x>膜へ,NewSUBARU放射光施設の短尺アンジュレータ光源を用いた軟X線を照射して結晶化する新しい方法(軟X線照射法)を開発した。固相下における擬似核形成・粒成長の低温化を確認した.本方法の基本となる素過程は軟X線の光子エネルギーにより非晶質膜を構成する原子の内殻電子を局所的に励起させ,原子間のクーロン斥力により原子を移動させ,擬似結晶核を形成する事である.擬似結晶核の形成に対応して,粒成長の低温化をはかる事ができる.現状にお...