高度産業科学技術研究所 - 兵庫県立大学研究者情報

研究キーワード

SRプロセス ,新素材 ,SR Process ,New Material

研究分野

ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /
ナノテク・材料 / 機能物性化学 /

経歴

2004年

-

2010年

兵庫県立大学高度産業科学技術研究所准教授

1999年

-

2004年

姫路工業大学高度産業科学技術研究所助教授

1987年

-

1999年

いわき明星大学理工学部助手

学歴

-

1987年

東京大学理学系研究科化学

-

1985年

東京大学理学部化学

論文

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Investigation of vacancy-type defects in diamond-like carbon films using slow positron beam

Kazuhiro Kanda Tomohiro Mishima Hiroki Akasaka Fuminobu Hori Atsushi Yabuuchi Atsushi Kinomura

Japanese Journal of Applied Physics 63(4) 045503-045503 2024年4月 [査読有り]

Abstract

Positron annihilation spectroscopy was used to investigate vacancy-type defects in diamond-like carbon (DLC) films. From Doppler broadening measurements of the γ-rays produced by annihilation and positron annihilation lifetime (PAL) usi...

Photon energy dependence of graphene oxide reduction by soft X-ray irradiation and atomic hydrogen annealing

Akira Heya Akinori Fujibuchi Masahiro Hirata Yoshiaki Matsuo Junichi Inamoto Kazuhiro KANDA Koji Sumitomo

Japanese Journal of Applied Physics 2023年11月 [査読有り]

Abstract
The effects of soft X-ray irradiation and atomic hydrogen annealing (AHA) on the reduction of graphene oxide (GO) to obtain graphene were investigated. To clarify the interaction between soft X-rays and G...

Deposition of amorphous carbon nitride thin films using pressure-gradient RF magnetron sputtering and their chemical bonding structures

Masami Aono Masami Terauchi Yohei K. Sato Kyoji Morita Tasuku Inoue Kazuhiro Kanda Ken Yonezawa

Applied Surface Science 635 157677-157677 2023年10月 [査読有り]

Soft X-ray microspectroscopic imaging studies of exfoliated surface between fluoropolymer and Cu plate directly bonded by plasma irradiation with ammonia gas

A. Yamaguchi S. Ikeda M. Nakaya Y. Kobayashi Y. Haruyama S. Suzuki K. Kanda Y. Utsumi T. Ohkochi H. Sumida M. Oura

Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 267 147385-147385 2023年8月

Effects of underlayer on reduction of graphene oxide through atomic hydrogen annealing and soft X-ray irradiation

Akira HEYA Akinori Fujibuchi Masahiro Hirata Kazuhiro KANDA Yoshiaki Matsuo Junichi INAMOTO Koji Sumitomo

Japanese Journal of Applied Physics 62(SC) SC1028-SC1028 2023年1月 [査読有り]

Abstract
The reduction of graphene oxide (GO) through atomic hydrogen annealing (AHA) and soft X-ray irradiation is investigated using microwell substrates with μm-sized holes with and without Ni underlayers. The ...

MISC

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軟X線照射のみによる半導体非晶質膜の低温結晶化

松尾直人部家彰望月孝晏宮本修治神田一浩

電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 112(19) 49-54 2012年4月

ガラス基板上に蒸着した非晶質Si,Ge,Si_xGe_<1-x>膜へ,NewSUBARU放射光施設の短尺アンジュレータ光源を用いた軟X線を照射して結晶化する新しい方法(軟X線照射法)を開発した。固相下における擬似核形成・粒成長の低温化を確認した.本方法の基本となる素過程は軟X線の光子エネルギーにより非晶質膜を構成する原子の内殻電子を局所的に励起させ,原子間のクーロン斥力により原子を移動させ,擬似結晶核を形成する事である.擬似結晶核の形成に対応して,粒成長の低温化をはかる事ができる.現状にお...

軟X線源を用いた半導体薄膜の低温結晶化技術の開発

部家彰野々村勇希木野翔太松尾直人天野壮宮本修治神田一浩望月孝晏都甲薫佐道泰造宮尾正信

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111(357) 71-76 2011年12月

アンジュレータ光源を使用した軟X線励起によるa-Si膜中のSi原子移動

高梨泰幸部家彰松尾直人神田一浩

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 108(335) 17-20 2008年11月

アンジュレータ光源から発生した軟X線をa-Si膜(膜厚1,50nm)に照射したときの特性変化を検討した.照射前後で表面粗さRaは0.63nmから1.70nmへ変化した.これに対応して電気抵抗値も増加した.膜厚が薄い場合,単位原子当たりの光の吸収量が大きい.フォトンによるSi原子の振動励起がトリガーとなり,膜厚方向へ働く力が大きくなる.Si原子の移動が連続的に生じ凝集現象が起き,表面形状が変化したと考えられる.

26aPS-3 Arクラスターイオンビーム援用蒸着法により作成したDLC薄膜の電子状態II(ポスターセッション,領域5,光物性)

春山雄一北川晃幸神田一浩松井真二豊田紀章山田公

日本物理学会講演概要集 63(1) 732-732 2008年2月

軟X線放射光を用いた溶融Zn-Al系めっき上腐食生成物の構造解析

西原克浩松本雅充木本雅也工藤赳夫内田仁春山雄一神田一浩松井真二

材料と環境 : zairyo-to-kankyo 57(2) 76-80 2008年2月