研究者業績
研究キーワード
原子状水素アニール
,原子状水素
,グラフェンナノリボン
,触媒
,化学気相成長
,グラフェン
,2次元材料
,構造解析
,半導体薄膜
経歴
2008年4月
-
現在
兵庫県立大学大学院 工学研究科 准教授
2005年7月
-
2008年3月
兵庫県立大学大学院 工学研究科 助教
2000年4月
-
2005年6月
石川県工業試験場 電子情報部 技師
学歴
-
2000年
北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科 物性科学専攻
-
1995年
鳴門教育大学 学校教育学部 自然系Ⅱ（理科）専攻
委員歴
2007年
-
現在
Cat-CVD研究会 実行委員
論文
Akira Heya Koji Sumitomo
Journal of Photopolymer Science and Technology 35(4) 351-357 2022年12月 [査読有り]
Akira HEYA Akinori Fujibuchi Masahiro Hirata Kazuhiro KANDA Yoshiaki Matsuo Junichi INAMOTO Koji Sumitomo
Japanese Journal of Applied Physics 62(SC) SC1028-SC1028 2022年12月 [査読有り]
<jats:title>Abstract</jats:title>
Ryo Yamasaki Akira Heya Naoto Matsuo Koji Sumitomo
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 21(1) 46-54 2022年12月 [査読有り]
Masahito Niibe Yuichi Haruyama Akira Heya Seigo Ito
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 20(4) 226-231 2022年8月 [査読有り]
A. Heya K. Kanda R. Yamasaki K. Sumitomo
Jpn. J. Appl. Phys. 61 SC1057 2022年2月 [査読有り]
MISC
春山雄一 森本大貴 部家彰 住友弘二 伊藤省吾 横田久美子 田川雅人
日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム(Web) 35th 2022年
門林大矢 橋野開 大嶋梓 山口真澄 部家彰 住友弘二
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
土井響 吉水寛人 乾徳夫 樫村吉晃 大嶋梓 山口真澄 部家彰 住友弘二
電気学会研究会資料(Web) (OQD-21-065-071) 2021年
春山雄一 部家彰 住友弘二 伊藤省吾
日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム(Web) 34th 2021年
部家彰 山田良貴 山崎良 神田一浩 住友弘二
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
書籍等出版物
部家 彰(担当:分担執筆, 範囲:第7章1節 有機EL用水蒸気バリア膜の形成)
技術情報協会 2013年5月
部家 彰(担当:分担執筆, 範囲:第1章2節 Cat-CVDのRoll to Rollプロセスの優位性と課題)
情報機構 2011年3月
部家 彰(担当:分担執筆, 範囲:第4章12節 有機ELの保護膜形成技術)
CMC出版 2010年3月
部家 彰(担当:分担執筆, 範囲:第2章4節 ロールツーロール型Cat-CVD装置)
CMC出版 2008年10月
部家 彰(担当:分担執筆, 範囲:第4章5節 有機ELの保護膜形成技術)
情報機構 2007年8月
講演・口頭発表等
部家 彰 草壁 史 丸山 裕樹 松尾 直人 神田 一浩 野口 隆
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2013年12月13日
10nm程度の極浅接合形成のため、アンジュレータ光源を用いた軟X線照射によるSi中B不純物の低温活性ィヒについて検討した。軟X線照射によるシート抵抗の低減効果は、熱処理と比べて400℃以下の低温領域で顕著になり、アレニウスプロットから見積もった活性化エネルギーは軟X線照射と熱処理でそれぞれ、0.06eV、0.18eVであった。照射光子エネルギーがSi2pのエネルギー準位に近づくと、活性化が促進された。また、活性化率6.2×10^<-3>と低いが、100℃程度の低温処理でも、軟X線の効果によ...
草壁 史 丸山 裕樹 部家 彰 松尾 直人 神田 一浩 望月 孝晏 伊藤 和博 高橋 誠
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2013年12月13日
a-Ge, a-SiGe腹の軟X線照射結晶化における照射光子エネルギー依存性を検討した。Ge腹において蓄積リング電流値75mA、照射光子エネルギー100evにて、試料温度が380℃で結晶化が見られたが、130eVでは100eVの条件より試料温度が高い410℃にもかかわらず結晶化が見られなかった。このことから結晶化は温度効果よりも照射光子エネルギーに依存すると考えられる。また、軟X線照射により結晶化したSiGe濃度傾斜多層膜を透過型電子顕微鏡(TEM)により観察した。層界面では結晶格子が連な...
若宮 翔太 小林 孝裕 松尾 直人 部家 彰
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2013年12月13日
従来の太陽電池の発電層の両端にMOS構造を設置し,電圧を印加する事により光生成キャリアの再結合を抑止できる.本研究ではn/p構造,n/i/p構造の積層方向を受光面に対して平行にした電界効果型太陽電池において,キャリア再結合抑制効果による最適な構造を変換効率から検討する.この結果から,p/n構造における最適な構造は受光幅を500μm,ドープ濃度を1×10^<17>cm^<-3>とする構造であり,膜厚に関してはどの膜厚においてもゲート電圧印加による変換効率の改善効果を得ることができることが明ら...
小林 孝裕 松尾 直人 部家 彰
電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 2012年12月7日
太陽電池の変換効率を支配する要因の内分けの内、表面又はバルクにおけるキャリア再結合による損失は30%といわれている。我々は、このキャリア再結合による損失を改善するために従来の大量電池の発電層の両端にMOS構造を設置し、電圧を印加する事により太陽光により励起され、生成された電子と正孔を空間的に分離する事により再結合を抑制する事が出来ると考えた。本研究では上記の構造を持った新構造電界効果型太陽電池をコンピュータ上に作製し、その光発電をシミュレーションにより再現する事で発電層両端に設置されたMO...
前野 尚子 松尾 直人 山名 一成 部家 彰 高田 忠雄
電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 2012年12月7日
我々はSi基板を用いて100nm程度のギャップを持つ電極を作製し,電極間に固定されたDNAに電荷保持特性がある事を報告した.本研究では,DNAチャネル/SiO2/Si(ゲート)構造におけるキャリア挙動について調査し,以下のことが明らかになった.1) dID/dVD 特性が極値を示す事は,DNAにトラップされた電子がチャネル中電界によりデトラップされたことを示唆する.2) デトラップされる電子の数はリフレッシュ電圧の大きさ,又は,印加時間と密接に関係しており,電圧が大きい程,又,印加時間が長...
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工学研究科