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研究者業績

研究者リスト >> 山川 進二
 

山川 進二

 
アバター
研究者氏名山川 進二
 
ヤマカワ シンジ
URLhttps://www.lasti.u-hyogo.ac.jp/sr-nanotechnology/index.html
所属兵庫県立大学
部署高度産業科学技術研究所
職名助教
学位博士(工学)(東京工業大学)
科研費研究者番号90876252
J-Global ID202001010541924789

研究キーワード

 
軟X線分析 ,フォトレジスト ,EUVリソグラフィ ,放射光 ,高分子合成 ,錯体触媒

研究分野

 
  • ナノテク・材料 / 光工学、光量子科学 / 放射光
  • ナノテク・材料 / 高分子化学 / 

経歴

 
2020年4月
 - 
現在
兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所 助教 
 
2019年4月
 - 
2020年3月
東京工業大学 化学生命科学研究所 特任助教 
 

学歴

 
2016年4月
 - 
2019年3月
東京工業大学大学院 物質理工学院 博士後期課程 応用化学系
 
2014年4月
 - 
2016年3月
関西大学大学院 理工学研究科 博士課程前期課程 化学・物質工学科
 
2010年4月
 - 
2014年3月
関西大学 化学生命工学部 化学・物質工学科
 

委員歴

 
2021年
 - 
現在
フォトポリマー学会  ICPST組織委員会
 

受賞

 
2023年6月
フォトポリマー学会, フォトポリマー科学技術賞 論文賞
 

論文

 
 
Takuto Fujii   Shinji Yamakawa   Tetsuo Harada   Takeo Watanabe   
Photomask Japan 2021: XXVII Symposium on Photomask and Next-Generation Lithography Mask Technology   11908    2021年8月   [査読有り]
In 2019, EUV lithography technology with a wavelength of 13.5 nm was used for the mass production of semiconductor logic devices with 7 nm node. As with small feature size of electronic circuits in semiconductor device will be required in the futu...
 
Tetsuo Harada   Ayato Ohgata   Shinji Yamakawa   Takeo Watanabe   
Photomask Japan 2021: XXVII Symposium on Photomask and Next-Generation Lithography Mask Technology   11908    2021年8月   [査読有り]
At EUV lithography, an EUV mirror can be easily contaminated with carbon. This carbon contamination causes the reflectance drop of the Mo/Si multilayer mirror. For the carbon-contamination cleaning, hydrogen gas is introduced at a pressure of a fe...
 
Tetsuo Harada   Shinji Yamakawa   Mitsunori Toyoda   Takeo Watanabe   
Japanese Journal of Applied Physics   60(8) 087005-087005   2021年8月   [査読有り]
 
Takeo Watanabe   Tetsuo Harada   Shinji Yamakawa   
Journal of Photopolymer Science and Technology   34(1) 49-53   2021年6月   [査読有り]
Extreme ultraviolet lithography was started to use for the production of 7-nm node-logic-semiconductor devices in 2019. And it was adapted to use for high volume manufacturing (HVM) of 5-nm logic devices in 2020. EUVL is required to be extended to...
 
Shinji Yamakawa   Ako Yamamoto   Seiji Yasui   Takeo Watanabe   Tetsuo Harada   
Journal of Photopolymer Science and Technology   34(1) 111-115   2021年6月   [査読有り]
In extreme ultraviolet (EUV) lithography development, the reduction of line width roughness (LWR) is a one of the significant issues. It has been reported that the LWR of photoacid generator (PAG) bounded resist is lower than that of PAG blended r...

MISC

 
 
中本敦啓   山川進二   原田哲男   渡邊健夫   
X線分析討論会講演要旨集   58th    2022年

担当経験のある科目(授業)

 
2021年9月
 - 
現在
材料放射光実験III (兵庫県立大学)
2021年9月
 - 
現在
放射光科学のフロンティア(オムニバス形式) (兵庫県立大学)
2021年9月
 - 
現在
先端科学を学ぶ(副専攻集中講義) (兵庫県立大学)
2020年10月
 - 
現在
機械・材料工学実験 (兵庫県立大学)

所属学協会

 
2023年
 - 
現在
日本放射光学会
2021年
 - 
現在
SPIE
2020年
 - 
現在
フォトポリマー学会
2014年
 - 
現在
高分子学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

 
 
フォトレジスト薄膜中における化学組成分布がパターン線幅粗さに与える影響の解明
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 若手研究
山川 進二 
研究期間: 2021年4月 - 2024年3月

産業財産権

 
 
高野 重永   会田 昭二郎   小坂田 耕太郎   竹内 大介   山川 進二   
 
高野 重永   会田 昭二郎   小坂田 耕太郎   竹内 大介   山川 進二