吉田晴彦

研究者氏名	吉田晴彦
	ヨシダハルヒコ
URL
所属	兵庫県立大学
部署	大学院工学研究科
職名
学位	博士(工学)
科研費研究者番号	90264837
J-Global ID	200901022517625339

研究キーワード

半導体デバイス ,電子物性 ,Physics of Electronics

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /
ナノテク・材料 / 結晶工学 /
ナノテク・材料 / 応用物性 /

経歴

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2007年4月

現在

兵庫県立大学大学院工学研究科准教授

2004年4月

2007年3月

兵庫県立大学大学院工学研究科助教授

2002年10月

2004年3月

姫路工業大学大学院工学研究科助教授

2002年4月

2002年9月

姫路工業大学大学院工学研究科講師

2000年4月

2002年3月

姫路工業大学工学部講師

学歴

1994年

姫路工業大学工学研究科生産工学

1994年

姫路工業大学

1989年

姫路工業大学工学部電子工学

1989年

姫路工業大学

論文

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Investigation of the static electric field effect of strontium silicate layers on silicon substrates

Shota Taniwaki Keiji Imanishi Mitsuhiro Umano Haruhiko Yoshida Koji Arafune Atsushi Ogura Shin-ichi Satoh Yasushi Hotta

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 121(22) 225302 2017年6月 [査読有り]

We studied the effective net charge density (Q(eff)) of strontium silicate (SrxSiOx+2, x = 1, 2, 3) films grown on silicon (Si) (100) substrates. The SrxSiOx+2 layers were deposited from a Sr2SiO4 polycrystalline target by pulsed laser deposition,...

Correlation between chemical-bonding states and fixed-charge states of Sr-silicate film on Si(100) substrate

Shota Taniwaki Haruhiko Yoshida Koji Arafune Atsushi Ogura Shin-ichi Satoh Yasushi Hotta

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 34(6) 061506 2016年11月 [査読有り]

The authors studied the correlation between the chemical bonding (CB) states and fixed charge (FC) states of Sr-silicate films grown on Si(100) substrates [Sr-silicate/Si(100)]. The Sr-silicate/Si(100) samples were synthesized by silicate reaction...

Room temperature formation of Hf-silicate layer by pulsed laser deposition with Hf-Si-O ternary reaction control

Yasushi Hotta Satoshi Ueoka Haruhiko Yoshida Koji Arafune Atsushi Ogura Shin-ichi Satoh

AIP ADVANCES 6(10) 105303 2016年10月 [査読有り]

We investigated the room temperature growth of HfO2 layers on Si substrates by pulsed laser deposition under ultra-high vacuum conditions. The laser fluence (LF) during HfO2 layer growth was varied as a growth parameter in the experiments. X-ray p...

Local mapping of interface traps using contactless capacitance transient technique

Haruhiko Yoshida Hidenobu Mori

AIP ADVANCES 6(10) 105004 2016年10月 [査読有り]

Contactless capacitance transient techniques have been applied to local mapping of interface traps of a semiconductor wafer. In contactless capacitance transient techniques, a Metal-Air gap-Oxide-Semiconductor (MAOS) structure is used instead of a...

Investigation of new stacking surface passivation structures with interfacial tuning layers on p-type crystalline silicon

Norihiro Ikeno Taka-aki Katsumata Haruhiko Yoshida Koji Arafune Shin-ichi Satoh Toyohiro Chikyow Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(4) 04ES03 2016年4月 [査読有り]

We fabricated a Y2O3-ZrO2 film (YZO) on Al2O3 to achieve the field effect passivation with high negative fixed charge densities on p-type Si. The surface recombination velocity was improved down to 30cm/s after annealing at 400 degrees C. This imp...