吉田晴彦

研究者氏名	吉田晴彦
	ヨシダハルヒコ
URL
所属	兵庫県立大学
部署	大学院工学研究科
職名
学位	博士(工学)
科研費研究者番号	90264837
J-Global ID	200901022517625339

研究キーワード

半導体デバイス ,電子物性 ,Physics of Electronics

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /
ナノテク・材料 / 結晶工学 /
ナノテク・材料 / 応用物性 /

経歴

12 >

2007年4月

現在

兵庫県立大学大学院工学研究科准教授

2004年4月

2007年3月

兵庫県立大学大学院工学研究科助教授

2002年10月

2004年3月

姫路工業大学大学院工学研究科助教授

2002年4月

2002年9月

姫路工業大学大学院工学研究科講師

2000年4月

2002年3月

姫路工業大学工学部講師

学歴

1994年

姫路工業大学工学研究科生産工学

1994年

姫路工業大学

1989年

姫路工業大学工学部電子工学

1989年

姫路工業大学

論文

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Effect of initial oxidized layer condition on passivation quality of AlOx films deposited by atomic layer deposition technique at room temperature

Chikako Sakai Shunsuke Yamamoto Shohei Miki Koji Arafune Yasushi Hotta Haruhiko Yoshida Atsushi Ogura Shin-Ichi Satoh

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference 1285-1287 2013年

To investigate the effect of initial oxidized layer condition on passivation quality of AlOx films deposited at room temperature by means of ozone-based atomic layer deposition technique, crystalline silicon substrates were exposed to ozone before...

Study of O3-based atomic layer deposited AlOx passivation films for crystalline silicon solar cells

Koji Arafune Shunsuke Yamamoto Ko Urushibata Shohei Miki Chikako Sakai Haruhiko Yoshida Hyun Ju Lee Atsushi Ogura Yoshio Ohshita Shin-ichi Satoh

22nd International Photovoltaic Science and Engineering Conference 2012年12月

Evaluation of defects generation in crystalline silicon ingot grown by cast technique with seed crystal for solar cells

Tomihisa Tachibana Takashi Sameshima Takuto Kojima Koji Arafune Koichi Kakimoto Yoshiji Miyamura Hirofumi Harada Takashi Sekiguchi Yoshio Ohshita Atsushi Ogura

Journal of Applied Physics 111(7) 074505(1-5) 2012年4月

Although crystalline silicon is widely used as substrate material for solar cell, many defects occur during crystal growth. In this study, the generation of crystalline defects in silicon substrates was evaluated. The distributions of small-angle ...

Interface engineering for the passivation of c-Si with O-3-based atomic layer deposited AlOx for solar cell application

Hyunju Lee Tomihisa Tachibana Norihiro Ikeno Hiroki Hashiguchi Koji Arafune Haruhiko Yoshida Shin-ichi Satoh Toyohiro Chikyow Atsushi Ogura

APPLIED PHYSICS LETTERS 100(14) 143901 2012年4月 [査読有り]

We have investigated the effects of deposition temperature and post-annealing on the passivation performance of AlOx films deposited by O-3-based atomic layer deposition for crystalline Si. We found that the dramatic enhancement in the passivation...

Surface Recombination of Crystalline Silicon Substrates Passivated by Atomic-Layer-Deposited AlOx

Koji Arafune Shohei Miki Ryosuke Matsutani Junpei Hamano Haruhiko Yoshida Tomihisa Tachibana Hyun Ju Lee Atsuhi Ogura Yoshio Ohshita Shin-ichi Satoh

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51(4) 04DP06 2012年4月 [査読有り]

AlOx films as passivation layers for p-type crystalline silicon were prepared by atomic layer deposition with ozone as an oxidant, and the effects of the AlOx film thickness and deposition temperature on the maximum recombination velocity (S-max) ...