吉田晴彦

研究者氏名	吉田晴彦
	ヨシダハルヒコ
URL
所属	兵庫県立大学
部署	大学院工学研究科
職名
学位	博士(工学)
科研費研究者番号	90264837
J-Global ID	200901022517625339

研究キーワード

半導体デバイス ,電子物性 ,Physics of Electronics

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /
ナノテク・材料 / 結晶工学 /
ナノテク・材料 / 応用物性 /

経歴

12 >

2007年4月

現在

兵庫県立大学大学院工学研究科准教授

2004年4月

2007年3月

兵庫県立大学大学院工学研究科助教授

2002年10月

2004年3月

姫路工業大学大学院工学研究科助教授

2002年4月

2002年9月

姫路工業大学大学院工学研究科講師

2000年4月

2002年3月

姫路工業大学工学部講師

学歴

1994年

姫路工業大学工学研究科生産工学

1994年

姫路工業大学

1989年

姫路工業大学工学部電子工学

1989年

姫路工業大学

論文

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Characterization of Generation Lifetime and Surface Generation Velocity of Semiconductor Wafers by a Contactless Zerbst Method

Haruhiko Yoshida Shingo Kuge

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 39(6) 773-776 2010年6月 [査読有り]

A contactless Zerbst method has been developed to characterize the generation lifetime and the surface generation velocity of a semiconductor wafer. This characterization is unaffected by the gate leakage current or the device fabrication process....

Local mapping of interface traps in HfSiO/Si structure by scanning capacitance microscopy using dV/dC signal

Shingo Kuge Haruhiko Yoshida

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 105(9) 093708 2009年5月 [査読有り]

Scanning capacitance microscopy (SCM) using a dV/dC signal has been proposed for local mapping of interface traps in an insulator/semiconductor structure. In conventional SCM measurements using a dC/dV signal, it is difficult to accurately analyze...

First-principles calculation of energy band structure of gallium arsenide crystals using Madelung potential

S. Kishino K. Sueoka H. Yoshida

ADVANCES IN QUANTUM CHEMISTRY, VOL 54 54 13-21 2008年 [査読有り]

Energy band structure of gallium arsenide crystals is calculated by the discrete variational (DV)-X alpha molecular orbital method using a Madelung potential. By the use of the Madelung potential technique we found a possibility to be able to obta...

Photoluminescence mapping study of gettering effect of polycrystalline Si on ultrathin silicon-on-insulator

ZQ Li M Tajima N Kitai H Yoshida S Kishino

APPLIED PHYSICS LETTERS 85(23) 5688-5690 2004年12月 [査読有り]

High-resolution photoluminescence (PL) mapping measurement was performed to study the gettering effect of polycrystalline Si on ultrathin silicon-on-insulator (SOI) wafers. A 150-mm-diam Unibond SOI wafer was patterned and partially gettered by po...

Microscopic C-V measurements of SOI wafers by scanning capacitance microscopy

T Ishida H Yoshida S Kishino

EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS 27(1-3) 479-482 2004年7月 [査読有り]

Scanning capacitance microscopy (SCM) has been applied to microscopic characterization of electrical properties of silicon-on-insulator (SOI) wafers. Two kinds of capacitance-voltage (C-V) methods have been proposed for separately characterizing t...